- column address strobe latency
- вчт. время задержки строб-импульса адреса столбца
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics. F.V Lisovsky . 2005.
column address strobe latency
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Column Address Strobe Latency — Mit der Column Address Strobe Latency (kurz CL oder „CAS Latency“), auch Latenz Zeit genannt, wird die Verzögerung zwischen der Adressierung in einem DRAM Baustein und der Bereitstellung der an dieser Adresse gespeicherten Daten bezeichnet. Die… … Deutsch Wikipedia
Column Access Strobe Latency Time — Dieser Artikel beschreibt den DRAM Chip. Für das mit diesen Chips aufgebaute DRAM Modul (ugs.: Speicherriegel), siehe Artikel Speichermodul. Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet… … Deutsch Wikipedia
Column Address Strobe — Dieser Artikel beschreibt den DRAM Chip. Für das mit diesen Chips aufgebaute DRAM Modul (ugs.: Speicherriegel), siehe Artikel Speichermodul. Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet… … Deutsch Wikipedia
Column Address Strobe — Le CAS (Column Address Strobe temps d accès à une colonne) est un délai d accès dans les étapes de la synchronisation de la mémoire vive d un ordinateur. C est un paramètre à prendre en compte lorsque l on souhaite acheter de la mémoire vive RAM… … Wikipédia en Français
Row Address Strobe — Dieser Artikel beschreibt den DRAM Chip. Für das mit diesen Chips aufgebaute DRAM Modul (ugs.: Speicherriegel), siehe Artikel Speichermodul. Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet… … Deutsch Wikipedia
Latency — Mit der Column Address Strobe Latency (kurz CL oder „CAS Latency“), auch Latenz Zeit genannt, wird die Verzögerung zwischen der Adressierung in einem DRAM Baustein und der Bereitstellung der an dieser Adresse gespeicherten Daten bezeichnet. Die… … Deutsch Wikipedia
CAS Latency Time — Dieser Artikel beschreibt den DRAM Chip. Für das mit diesen Chips aufgebaute DRAM Modul (ugs.: Speicherriegel), siehe Artikel Speichermodul. Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet… … Deutsch Wikipedia
SDRAM latency — refers to the delays incurred when a computer tries to access data in SDRAM. SDRAM latency is often measured in memory bus clock cycles. Because a modern CPU is much faster than SDRAM, the CPU has to wait for a relatively long time for a memory… … Wikipedia
CAS-Latency — Mit der Column Address Strobe Latency (kurz CL oder „CAS Latency“), auch Latenz Zeit genannt, wird die Verzögerung zwischen der Adressierung in einem DRAM Baustein und der Bereitstellung der an dieser Adresse gespeicherten Daten bezeichnet. Die… … Deutsch Wikipedia
CAS Latency — Mit der Column Address Strobe Latency (kurz CL oder „CAS Latency“), auch Latenz Zeit genannt, wird die Verzögerung zwischen der Adressierung in einem DRAM Baustein und der Bereitstellung der an dieser Adresse gespeicherten Daten bezeichnet. Die… … Deutsch Wikipedia
Cas latency — Mit der Column Address Strobe Latency (kurz CL oder „CAS Latency“), auch Latenz Zeit genannt, wird die Verzögerung zwischen der Adressierung in einem DRAM Baustein und der Bereitstellung der an dieser Adresse gespeicherten Daten bezeichnet. Die… … Deutsch Wikipedia
